同比增长 105%，报告称 HBM 芯片明年月产能突破 54 万颗
IT之家7月10日消息，工商时报今天报道称，在SK海力士、三星、美光三巨头的大力推动下，2025年高带宽内存（HBM）芯片每月总产能为54万颗，相比较2024年增加27.6万颗，同比增长105%。
高带宽内存是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，与高性能图形处理器、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）、高性能数据中心的AI特殊应用集成电路结合使用，可以大幅减少半导体的功率和面积。
HBM是AI加速卡成本占比最高的零件，有媒体拆解英伟达H100芯片，物料成本约为3000美元（IT之家备注：当前约21847元人民币），其中SK海力士供应的HBM成本就高达2000美元（当前约14565元人民币），占比66%。
三大巨头现状
SK海力士和美光目前仍是HBM的主要供应商，两家公司都采用1beta纳米工艺，并已向英伟达出货。
集邦咨询认为采用1Alphanm工艺的三星预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。
三大巨头扩产计划
三星正在逐步升级其在韩国的平泽工厂（P1L、P2L和P3L），以便用于DDR5和HBM。
同时，华城工厂（13/15/17号生产线）正在升级到1α工艺，仅保留1y/1z工艺的一小部分产能，以满足航空航天等特殊行业的需求。
SK海力士以南韩利川市M16产线生产HBM，并着手将M14产线升级为1α／1β制程，以供应DDR5和HBM产品。
此外，无锡厂目前正积极将制程由1y／1z升级到1z／1α，分别用于生产DDR4及DDR5产品。
美光HBM前段在日本广岛厂生产，产能预计今年第四季提升至2.5万颗；长期将引入EUV制程（1γ、1δ），并建置全新无尘室。
广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。