荣耀公司取得氮化镓技术专利，解决了适当的阈值电压和低导通电阻不可兼得的问题
2023-11-20 10:35:08 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界11月17日消息，据国家知识产权局公告，荣耀终端有限公司取得一项名为“氮化镓异质结场效应晶体管、制造方法和电子设备“，公开号CN117080247A，专利申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种氮化镓异质结场效应晶体管、制造方法和电子设备，涉及半导体技术领域。氮化镓异质结场效应晶体管解决了适当的阈值电压和低导通电阻不可兼得的问题，以及栅极漏电流较大的问题。氮化镓异质结场效应晶体管包括：沟道层及势垒层，势垒层设置于沟道层的一侧，势垒层包括凹槽，以及分别设置于凹槽两侧的第一部分和第二部分，沟道层分别与第一部分和第二部分接触的界面上形成有二维电子气。第一漏极，第一漏极设置于第一部分远离沟道层一侧。第二漏极，第二漏极设置于第二部分远离沟道层一侧。第一介质层，第一介质层至少设置于凹槽的内表面。栅极，栅极设置于凹槽内。
采集日期：2023年11月20日