华微电子取得沟槽肖特基器件专利,极大程度地缓解漏电现象

2024-06-20 02:15:20 - 金融界网站

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金融界2024年6月20日消息,天眼查知识产权信息显示,吉林华微电子股份有限公司取得一项名为“沟槽肖特基器件“,授权公告号CN109473470B,申请日期为2018年12月。

专利摘要显示,本发明提供了一种沟槽肖特基器件,涉及半导体器件的技术领域,包括单晶层和设置在单晶层上的金属硅化物层、沟槽肖特基器件形成贯穿金属硅化物层以及贯穿部分单晶层的沟槽,沟槽包括宽径区、窄径区和变径区,变径区为由窄径区过渡到宽径区的区域,宽径区和部分变径区位于单晶层内,解决势垒金属溅射困难的问题,进而极大程度地缓解漏电现象。

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