台积电取得半导体结构专利,提升存储器管芯与逻辑管芯之间的电性连接

2023-11-30 19:00:40 - 金融界网站

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金融界2023年11月30日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体结构”的专利,授权公告号CN220106537U,申请日期为2023年5月。

专利摘要显示,一种半导体结构包括:逻辑管芯;存储器管芯堆叠,藉由第一氧化物结合件结合至逻辑管芯,且包括藉由第一直接结合件结合于一起的第一对存储器管芯;以及第一硅穿孔(TSV),位于逻辑管芯中且延伸穿过第一氧化物结合件且将逻辑管芯电性连接至第一对存储器管芯。

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