长鑫存储申请半导体结构及其形成方法专利，可以降低相邻两条字线之间电容耦合效应
2023-12-01 10:35:43 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2023年12月1日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“，公开号CN117153815A，申请日期为2022年5月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；多个有源柱，位于所述衬底内，所述多个有源柱沿第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向和所述第二方向均为平行于所述衬底的顶面的方向，且所述第一方向与所述第二方向相交；多条字线，多条所述字线沿所述第一方向间隔排布，每条所述字线沿所述第二方向延伸、且连续包覆沿所述第二方向排布的多个所述有源柱的部分侧壁，在沿垂直于所述衬底的顶面的方向上，任意相邻的两条所述字线至少部分错开设置。该半导体结构可以降低相邻两条字线之间电容耦合效应，且制程工艺简单，易于实现和控制。