晶合集成申请半导体器件及其制备方法专利，降低了半导体器件的制备难度和制备成本，提高了半导体器件的性能
2024-06-21 13:05:22 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“，公开号CN202410635678.0，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括提供键合晶圆，键合晶圆包括键合在一起的承载晶圆和器件晶圆；于键合晶圆的背面形成应力缓冲层；翻转键合晶圆之后，对键合晶圆的正面进行减薄处理；于键合晶圆的正面形成金属层；其中，键合晶圆的背面为承载晶圆背离器件晶圆的表面，键合晶圆的正面为器件晶圆背离承载晶圆的表面，键合晶圆和金属层作为整体的产品翘曲度和应力缓冲层的应力翘曲度的方向相反。使得形成金属层后键合晶圆的表面翘曲更小，降低了表面翘曲对光刻工艺的影响，降低了半导体器件的制备难度和制备成本，提高了半导体器件的性能。