晶合集成申请图像传感器专利，可制造具有不同光电二极管的图像传感器，避免了高能量离子注入方式导致的衬底损伤和串扰加重的问题
2024-06-21 13:05:22 - 金融界网站
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金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“图像传感器的制造方法及图像传感器“，公开号CN202410655300.7，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本申请公开了图像传感器的制造方法及图像传感器，所述制造方法包括：提供一衬底；在衬底表面形成第一层叠结构，第一层叠结构包括层叠设置的多个不同的半导体材料层；在第一层叠结构内形成隔离结构，且位于第一层叠结构的不同区域的隔离结构从第一层叠结构表面开始向下贯穿不同数量的半导体材料层，以使得第一层叠结构的不同区域内形成不同的光电二极管区域。本申请能够制造具有不同光电二极管的图像传感器，并且无需采用高能量离子注入方式形成光电二极管区域，因而避免了高能量离子注入方式导致的衬底损伤和串扰加重的问题。