长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利，能够避免热氧化过程中由于膨胀应力导致的字线沟槽弯曲
2024-01-02 09:40:12 - 金融界网站
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金融界2024年1月2日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117337022A，申请日期为2022年6月。
专利摘要显示，该发明公开了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底设有隔离层和呈阵列分布的多个有源区，多个所述有源区沿第一方向成列分布且多列所述有源区沿第二方向间隔开，所述隔离层位于所述有源区表面和所述有源区之间；多个字线沟槽，所述字线沟槽位于所述基底内且沿第二方向贯穿所述有源区和所述隔离层；至少一隔离沟槽，所述隔离沟槽形成在两列所述有源区之间且沿所述第一方向延伸，所述隔离沟槽贯穿多个所述字线沟槽以将形成所述字线沟槽的侧壁分割为多段。根据本发明实施例的半导体结构，能够避免热氧化过程中由于膨胀应力导致的字线沟槽弯曲，有利于后续字线栅极金属的填充。