设备成本渐成先进制程重要因素，Hyper NA EUV 光刻机价格恐破万亿韩元大关
2024-07-02 10:25:08 - IT之家
IT之家7月2日消息，韩媒《朝鲜日报》近日表示，ASML预计于2030年左右推出的下一代光刻设备——Hyper(0.75)NAEUV光刻机价格可能会突破一万亿韩元（IT之家备注：当前约52.67亿元人民币）大关。
报道指出，传统的Low(0.33)NAEUV光刻机单台约为2500亿韩元（当前约13.17亿元人民币），目前已开始交付的High(0.55)NAEUV光刻机单价已升至4000~5000亿韩元（当前约21.07~26.34亿元人民币）。
而HXE系列HyperNAEUV光刻机的价格将在High NAEUV的基础上再次翻倍。
考虑到光刻机越发昂贵，设备成本问题已成为各先进制程代工厂规划未来工艺时的重要考虑因素：
台积电在其首个BSPDN节点A16上不会采用High NAEUV；三星电子在SF1.4节点的宣传中未提到High NA；对HighNA最积极的英特尔也将实际应用放到了Intel14A上。
接近台积电的消息人士向韩媒表示，台积电考虑充分发挥其在多重图案化上的技术积累，尽可能使用现有LowNA设备实现先进工艺，推迟High/HyperNA的导入。
而接近三星电子的消息人士则称，随着HyperNAEUV出现在ASML的产品规划上，三星电子也在审查自身路线图。
这位消息人士认为，考虑到最终将过渡到HyperNA，积极引入已很昂贵的High NAEUV光刻机可能是一个糟糕选择。三星电子不排除跳过High NA直接转向HyperNA的可能。
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