长鑫存储申请半导体结构及其形成方法专利，能够提高半导体结构集成度并增大存储密度
2023-12-12 11:05:38 - 金融界网站
转自：金融界
本文源自:金融界
金融界2023年12月12日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“，公开号CN117222223A，申请日期为2022年5月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成堆叠层于衬底的顶面，所述堆叠层包括沿第一方向间隔排布的多个半导体层，所述堆叠层包括晶体管区域、电容区域和位线区域，所述半导体层包括沿第三方向间隔排布的半导体柱；于所述电容区域内形成沿所述第二方向延伸的电容器；于所述晶体管区域内形成字线，所述字线沿所述第三方向延伸、且连续包覆沿所述第三方向间隔排布的所述半导体柱；于所述位线区域内形成位线，所述位线沿所述第一方向延伸。本公开在提高半导体结构集成度的同时，还能够增大半导体结构的存储密度，改善半导体结构的性能。