长鑫存储申请半导体测试结构及其测试方法专利，有效监测后道工序中导电过孔的制备工艺
2023-12-22 12:50:42 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体测试结构及其测试方法“，公开号CN117276247A，申请日期为2022年6月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体测试结构及其测试方法，半导体测试结构包括：衬底以及分别设置于衬底一侧的第一测试部、第二测试部和第三测试部。其中，第一测试部被配置为：测试第一测试结构的电学性能，以获得第一检测结果。第一测试结构包括：导电过孔，以及位于导电过孔两端且与导电过孔相连接的第一导电部和第二导电部。第二测试部被配置为：测试第一导电部的电学性能，以获得第二检测结果。第三测试部被配置为：测试第二导电部的电学性能，以获得第三检测结果。其中，导电过孔的电学性能根据第一检测结果、第二检测结果和第三检测结果确定。上述半导体测试结构可以有效监测后道工序中导电过孔的制备工艺。