中芯集成-U申请半导体器件的制作方法专利，能够得到具有平直的间隙侧壁的半导体器件，该半导体器件具有优良的性能。
2024-06-03 20:05:20 - 金融界网站
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金融界2024年6月3日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制作方法“，公开号CN202410266697.0，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成布线层和牺牲层，所述牺牲层覆盖所述衬底和所述布线层；在所述牺牲层中形成第一沟槽，所述第一沟槽在所述衬底上的正投影与所述布线层在所述衬底上的正投影不重叠；在所述牺牲层上形成功能层，所述功能层填满所述第一沟槽且覆盖所述牺牲层的上表面；在所述功能层中形成第二沟槽，所述第二沟槽贯穿所述功能层且所述第二沟槽露出至少部分所述第一沟槽。利用本申请的制作方法，能够得到具有平直的间隙侧壁的半导体器件，该半导体器件具有优良的性能。