台积电申请集成电路结构和制造高电压场效应晶体管的方法专利，制造高电压场效应晶体管的方法。
2024-06-03 20:10:21 - 金融界网站
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金融界2024年6月3日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“集成电路结构和制造高电压场效应晶体管的方法“，公开号CN202410175863.6，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，IC结构包括：半导体衬底；隔离结构，形成在半导体衬底中，从而限定由隔离部件围绕的有源区域；第一导电类型的第一阱，形成在半导体衬底中；中性区域，形成在半导体衬底中并且横向围绕第一阱；第二导电类型的第二阱，形成在半导体衬底上并且横向围绕中性区域，第二导电类型与第一导电类型相反；源极，设置在半导体衬底的第二阱上；漏极，设置在半导体衬底的第一阱上；以及栅极结构，介于源极和漏极之间。栅极结构接合半导体衬底的第一阱、中性区域和第二阱。源极、漏极和栅极结构配置为FET。本申请的实施例还涉及制造高电压场效应晶体管的方法。