台积电申请制造半导体器件的方法以及自由基处理系统专利，减小介电材料的厚度
2024-06-03 20:10:21 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2024年6月3日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“制造半导体器件的方法以及自由基处理系统“，公开号CN202410165524.X，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，本申请的实施例提供了一种低热预算介电材料处理。本公开的示例性方法包括：提供半导体结构，在半导体结构上方沉积介电材料；利用超临界流体中携带的气态物质处理介电材料，并且在处理之后，减小介电材料的厚度。根据本申请的其他实施例，还提供了制造半导体器件的方法以及自由基处理系统，自由基处理系统用于处理半导体结构上的介电材料。