台积电申请半导体器件及其制造方法专利，该专利技术可以实现制造半导体器件
2024-06-03 20:10:21 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2024年6月3日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法“，公开号CN202410178479.1，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，该专利技术是一个半导体器件。这种器件包括器件层，所述器件层包括第一晶体管；在所述器件层的前侧上的第一互连结构；以及在器件层的背侧上的第二互连结构。第二互连结构包括电源导轨。该器件还包括接合到第一互连结构的载体衬底和接触载体衬底的第一散热层。同时,本申请还提供了一种制造半导体器件的方法。