台积电申请制造半导体器件的方法和装置专利，基于靶体寿命确定衬底沉积膜部分的方法
2024-06-03 20:10:21 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2024年6月3日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“制造半导体器件的方法和装置”，公开号CN202410177448.4，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，本发明的实施例公开了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在物理汽相沉积（PVD）系统的腔室中引入靶体。该方法包括基于第一补偿函数在衬底上沉积膜的第一部分，第一补偿函数的第一值根据靶体的寿命来确定。该方法包括基于第二补偿函数在膜的第一部分上沉积膜的第二部分，第二补偿函数的第二值根据靶体的寿命来确定。第一值与第二值不同。本发明的实施例还公开了一种用于制造半导体器件的装置。