中芯集成-U申请MEMS压力传感器专利，能够提高用作敏感膜层的顶硅层的灵敏度
2024-06-03 20:05:20 - 金融界网站
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金融界2024年6月3日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种MEMS压力传感器及其制造方法、电子装置”，公开号CN202410267892.5，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种MEMS压力传感器及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供第一衬底和第二衬底，所述第二衬底包括依次层叠的底硅层、绝缘层和顶硅层，所述第一衬底中形成有空腔；将所述第一衬底形成有所述空腔的一侧与所述第二衬底的所述顶硅层进行键合；去除所述底硅层和所述绝缘层以露出所述顶硅层；对所述顶硅层的部分区域进行刻蚀，以减薄所述顶硅层的部分区域的厚度。本发明的方案在进行键合以及相关工艺时，顶硅层的厚度较厚，使得MEMS压力传感器的键合接触部位不会发生脱落等风险，最后再对顶硅层的部分区域进行刻蚀，以减薄顶硅层的部分区域的厚度，从而能够提高用作敏感膜层的顶硅层的灵敏度，即能够在保证MEMS压力传感器的可靠性的同时提高灵敏度和性能。