芯报丨时创意推出1TB UFS 3.1嵌入式闪存芯片，正式进入量产阶段

❶时创意推出1TBUFS3.1嵌入式闪存芯片，正式进入量产阶段

11月21日，国内知名存储企业时创意SCY宣布，其研发的1TB容量UFS3.1嵌入式闪存芯片已开始量产。继之前推出的128GB至512GB容量UFS3.1芯片之后，1TB新品的推出进一步拓宽了时创意在高速UFS产品领域的容量范围。该1TBUFS3.1芯片具有紧凑的尺寸（11×13×1.2mm）和153ballFBGA封装，提供高达2100MB/s的顺序读取速度和1700MB/s的顺序写入速度，能在-25℃至+85℃的温度范围内稳定工作。此外，该芯片支持写入增强、深度睡眠、性能调整通知和主机性能增强等技术，采用LDPC3.0ECC纠错，适合用于智能手机、平板电脑、AR/VR头显、无人机和安防监控等多种电子设备。（IT之家）

❷三星电子加大HBM投资，扩大苏州厂封装产能以提升技术竞争力

三星电子正积极扩大其在全球范围内的半导体封装业务，特别是在中国苏州工厂的生产设施。公司最近签署了价值约200亿韩元（1.04亿元人民币）的设备采购合同，以提升苏州工厂的封装能力，该工厂是三星电子唯一的海外测试和封装生产基地。同时，三星也在韩国国内加速扩大封装生产基地，与忠清南道和天安市签署投资协议，预计到2027年底在天安市建成用于HBM的先进封装设施。这一系列投资旨在缩小与竞争对手SK海力士的差距，并应对下一代高带宽内存（HBM）产品，如HBM4，所需的更高级封装技术。三星正开发包括混合键合技术在内的多种先进封装技术，以生产12层和16层产品，满足客户定制的大规模生产需求。（爱集微）

❸纳芯微联合芯弦发布NS800RT系列实时控制MCU

纳芯微公司与芯弦半导体携手推出NS800RT系列实时控制MCU，该系列以高效的实时控制能力和丰富的外设为特点，适用于多种高精度系统应用。首发型号包括NS800RT5039、NS800RT5049和NS800RT3025，采用ArmCortex-M7内核，支持高速缓存和超大紧耦合内存，提升处理性能。集成数学加速核和外设支持超高精度PWM控制，适用于SiC和GaN功率器件的数字电源和电机控制系统。纳芯微和芯弦提供全面的技术资源和开发套件，加速用户开发进程。NS800RT系列现已支持送样。（爱集微）

❹谷歌Gemini新增“记忆”功能

据外媒，谷歌开始向部分Gemini用户，推出“记忆”（memory）功能，旨在增强用户体验，使其AI助手更加个性化和贴心。这项新功能让Gemini不再是传统意义上的冷冰冰的AI工具，而是能够记住用户生活细节、工作习惯以及个人偏好的智能伙伴。谷歌Gemini的“记忆”功能提升了AI助手的个性化和用户黏性，这是AI技术向智能化、个性化发展的重要步伐。（每经网）

❶瑞萨电子率先推出DDR5MRDIMM12800MT/s内存接口芯片组

日本瑞萨电子宣布推出全球首个面向第二代DDR5MRDIMM（12800MT/s）的完整内存接口芯片组解决方案，包括新款MRCD、MDB、PMIC芯片，以及配套的温度传感器和SPD集线器。这一解决方案旨在满足AI、HPC和其他数据中心应用对内存带宽的不断提升需求，相比当前8800MT/s的初代产品，下一代DDR5MRDIMM可实现35%的内存带宽提升。瑞萨的三款新芯片现已出样，计划于2025年上半年投产，其中第二代MRCD芯片功耗降低45%，PMIC芯片提供出色的电气过压保护和能效。（IT之家）

❷台积电：A161.6nm工艺2026年推出，2nm芯片2025年量产

台积电计划在2026年底前推出A161.6nm工艺，并在2025年量产2nm芯片。新的2nm工艺将包括一个名为N2PnanoFlex的变体，该变体通过提供短标准单元选项来减小面积和提高功率效率，或高单元以提升性能。A16工艺预计将在与N2nanoFlex相同密度的情况下，能效提升30%。此外，台积电还在推动3Dblox技术的IEEE标准化，这将有助于3D系统集成芯片（SoIC）的发展，对2nm和16A设计至关重要。（爱集微）

❸高通计划推出入门级骁龙X芯片瞄准PC市场

高通公司宣布，将加大对PC市场的投入，计划推出面向入门级市场的骁龙X系列芯片，以推动公司未来增长。此前，高通已推出旗舰级骁龙XElite和中端市场的骁龙XPlus芯片，未来将推出的入门级芯片预计将使设备价格控制在600美元左右。高通的产品线预计到2026年能满足70%的Windows笔记本市场需求，其骁龙芯片在能耗比上具有竞争优势，即使是英特尔和AMD的最新x86芯片也难以匹敌。（快科技）