长江存储在美国"反击"
日前,据美国科技网站Tomshardware报道,中国存储芯片厂商长江存储再度在美国加州北区对美光提起诉讼,指控这家美国公司侵犯了其11项专利,涉及3DNAND的各个方面。长江存储请求法院下令,要求美光停止在美国销售其闪存,并向其支付专利使用费。
长江存储表示,美光的96层(B27A)、128层(B37R)、176层(B47R)和232层(B58R)3DNAND存储器以及美光的部分DDR5SDRAM产品(Y2BM系列)侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请,它们涵盖了3DNAND和DRAM功能的基本方面。
2022年底,美国商务部根据所谓的“证据”,以威胁其国家安全为由,将长江存储列入了实体清单,使其不能从美国获得128层及以上的3DNAND的晶圆制造设备和技术。
这次起诉,并非长江存储在美国的第一次“反击”。2023年11月,长江存储在美国加州北区地方法院,对美光及子公司美光消费类产品事业部提起诉讼,指控美光侵犯8项与3DNANDFlash相关的美国专利。
2023年11月,长江存储指控美光侵犯8项与3DNANDFlash相关的美国专利X@lithos_graphein
另外,今年6月7日,长江存储在美国加州北区联邦地区法院提起诉讼,指控受美光资助的丹麦咨询公司StrandConsult及副总裁雷顿(RoslynLayton)散布虚假信息,破坏长江存储的市场声誉和商业关系。
此外,长江存储仍在努力利用国内技术和原有设备继续发展其3DNAND存储器。该公司的Xtacking3.0闪存已投入量产(其中一些设备甚至不违反美国制裁),具有高达2400MT/s的接口。
今年早些时候,长江存储表示已成功将3DQLCNAND的耐用性大幅提高到3DTLCNAND的水平(达到4000次编程/擦除周期),这显著改善了廉价SSD的特性。
值得一提的是,媒体6月报道,美国的PatriotMemory正在准备一款高端新产品——ViperPD573SSD,基于中国联芸科技的控制器和长江存储的3DNAND闪存,其读取速度高达14GB/s,写入速度达到12GB/s。这一合作进一步证明了长江存储在3DNAND闪存市场上的重要地位。
来源|观网财经