0.75NA突破芯片设计极限！Hyper-NA EUV首现ASML路线图：2030年推出，每小时产400-500片晶圆
2024-06-14 17:00:22 - 金融界网站
转自：金融界
本文源自:IT之家
全球研发机构imec表示阿斯麦（ASML）计划2030年推出Hyper-NAEUV光刻机，目前仍处于开发的“早期阶段”。
阿斯麦前总裁马丁・凡・登・布林克（MartinvandenBrink）于今年5月，在比利时安特卫普（Antwerp）召开、由imec举办ITFWorld活动中，表示：“从长远来看，我们需要改进光刻系统，因此必须要升级Hyper-NA。与此同时，我们必须将所有系统的生产率提高到每小时400到500片晶圆”。
High-NA将数值孔径(NA)从早期EUV工具的0.33NA提高到0.55NA。而根据vandenBrink在imec活动上展示的图片，该公司将在2030年左右提供Hyper-NA，达到0.75NA。
Imec高级图案设计项目总监KurtRonse表示，这是ASML首次将Hyper-NAEUV加入其路线图，他与ASML合作开发光刻技术已有30多年。IT之家附上相关图片如下：
Ronse表示现阶段想要突破0.55NA面临诸多挑战，其中问题之一是光偏振。
Ronse表示：“NA一旦超过0.55，由于偏振方向基本上会抵消光线，因此会破坏对比度”。
解决方案之一就是在光刻设备中加入偏振片，而这又会带来新的问题，偏振片会阻挡光线，降低能效，增加生产成本。
Hyper-NA的另一个挑战是电阻。
Ronse表示：“在0.55NA的情况下，我们就必须降低电阻。有了Hyper-NA，情况会更糟。这将给蚀刻选择性带来更多挑战”。