华天科技:已完成基于TVS工艺的3D DRAM封装技术开发

2024-06-24 18:10:21 - 金融界网站

转自:金融界

本文源自:金融界AI电报

金融界6月24日消息,有投资者在互动平台向华天科技提问:HBM供不应求的核心在良率问题。目前HBM存储芯片的整体良率在50%-65%,HBM良率的高低主要受到其堆叠架构复杂性的影响,涉及到多层次的内存结构和作为各层连接之用的直通TSV技术。工艺上简单说就是不仅需要架构上的堆叠,还需要加压,并且保持整体状态处于平衡。因此存储大厂纷纷加码HBM先进封装,提升HBM良率并降低功耗。华天科技目前完成基于TVS技术的3DDRAM封装技术开发了吗?谢谢!

公司回答表示:公司已经完成了基于TVS工艺的3DDRAM封装技术开发。

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