长鑫存储取得半导体存储器件及其制备方法专利，增大柱状电容的电容容量
2023-12-05 19:25:16 - 金融界网站
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金融界2023年12月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体存储器件及其制备方法“，授权公告号CN113496953B，申请日期为2020年4月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成叠层结构；于叠层结构内形成若干个间隔排布电容孔；于电容孔内形成下电极层；去除顶层介质层；于暴露出的牺牲层的表面及下电极层的上部表面形成第一电容介质层；于第一电容介质层的表面形成第一上电极层；于第一上电极层及第一电容介质层内形成多个开口；基于开口去除牺牲层；至少于下电极层的表面及暴露出的底层介质层的表面形成第二电容介质层；于第二电容介质层的表面形成第二上电极层。本发明的第一电容介质层及第一上电极层既可以起到支撑层的作用，又可以与下电极层形成电容，从而可以增大柱状电容的电容容量。