比亚迪半导体申请二极管结构及其制备方法和半导体器件专利，可以在不增加关断损耗的情况下，提升软度特性
2024-06-05 12:35:59 - 金融界网站
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金融界2024年6月5日消息，天眼查知识产权信息显示，比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“二极管结构及其制备方法和半导体器件”，公开号CN202211500783.0，申请日期为2022年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种二极管结构及其制备方法和半导体器件，其中，二极管结构包括：第一导电类型的衬底层、第一导电类型的外延过渡层、第一导电类型的第一外延层、第一导电类型的第二外延层和第二导电类型的阳极区，所述外延过渡层位于所述衬底层的正面；所述第一外延层设置于所述外延过渡层远离所述衬底层的一面；所述第二外延层设置于所述第一外延层远离所述外延过渡层的一面；所述阳极区位于所述第二外延层远离所述第一外延层的一面。本发明的二极管结构及其制备方法和半导体器件，可以在不增加关断损耗的情况下，提升软度特性。