全球存储盛会FMS 2024，得一微发表3D NAND可靠性提升主题演讲
2024-08-05 15:52:11 - 资讯精选
VicYe叶敏
演讲主题：
DynamicReadRetryMethod——AchievingNear-ZeroReadRetryfor3DNANDFlashMemory
论坛SSDT-103-1：
提高SSD耐用性与可靠性的技术
美国时间：
8月6日，下午3:40-4:45
地点：
美国加州圣克拉拉会议中心
BallroomF
得一微演讲简介
得一微Memory分析部总监：叶敏博士将于全球存储盛会FMS2024上发表《DynamicReadRetryMethod——AchievingNear-ZeroReadRetryfor3DNANDFlashMemory》主题演讲。
闪存存储设备在经历多次P/Ecycle后可靠性会降低，导致需要更多的ReadRetry进行错误校正，从而导致读性能严重下降。因此，ReadRetry方法的优化对闪存读取性能至关重要。叶敏博士的演讲将引领我们深入探索创新性动态ReadRetry方法，探讨分析如何提高3DNAND的可靠性，实现3DNAND几乎0次ReadRetry，从而极大地提升存储控制器的读性能，实现更好的性能控制和耐磨管理，高效提高存储芯片的寿命与性能。
FMS2024
得一微展位号：#750
时间：2024年8月6日-8日
地点：美国加州圣克拉拉会议中心
得一微将全面展示包括存储控制芯片、存储器在内的全系列最新产品和存储解决方案，分享最新存储技术和应用成果，欢迎全球行业伙伴莅临展台参观交流。