美光公布最新路线图:全新GDDR7、HBM4E、MCRDIMM曝光
11月14日消息,存储芯片大厂美光近期公布了最新路线图,包括DDR5、GDDR7和HBM4E內存技术,其中GDDR7将会在明年底推出,赶上下一代英伟达(NVIDIA)GPU芯片。
美光公布的最新路线图进一步展示了到2028年的规划,比今年7月发布的路线图延长了两年,内容也进行了调整,增加了几款新产品。
目前美光的第二代HBM3传输速率为1.2TB/s,8层堆叠。美光预计将在2026年推出12和16层堆叠的HBM4,带宽超过1.5TB/s;到2027~2028年,还将发布12层和16层堆叠的HBM4E,带宽可达2TB/s以上。
至于GDDR7上市时间有些改变,从2024上半年延后到2024年年底,与目前最快的GDDR6X模块(最高容量为16Gb,带宽为24Gb/s)相比,容量和带宽都提高。首批GDDR7容量提高至24Gb,带宽为32Gb/s;到2026年下半年,会推出更快的GDDR7,带宽也将提高到36Gb/s。英伟达曾表示Blackwell将于2025年面世,而英伟达下一代GeForceRTX50系列有望使用美光GDDR7內存。
DDR5內存部分,美光将为消费者和数据中心设定不同的产品线,计划基础是新的32Gb单体设计。这种高容量模块将应用于128GBDDR5-8000內存条,一直延伸至2026年供桌机用户使用。
同时美光还开发用于服务器的MCRDIMM产品,速度为8000MT/s。这种设计的巅峰将是2025年底推出的256GB內存条,运行速度为12800Mb/s。
至于面向移动市场的LPDDR产品,美光将在2024年底采用DellCAMM标准,焦点似乎在提高容量而非带宽,公司也表示将在2026年前使用8533Mb/s速率的內存条。第一代设计每条将提供16GB至128GB容量,到2026下半年,每个模块容量将增至192GB或更高。
编辑:芯智讯-林子