苹果迎接 AI 浪潮,酝酿为 iPhone 改用 QLC NAND:存储上限至 2TB
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IT之家7月25日消息,集邦咨询于7月22日发布市场研报,透露苹果公司正酝酿使用QLCNAND闪存,最早2026年用于iPhone产品中,让其存储上限达到2TB。
QLC和TLC
TLC的全称是TripleLevelCell(三层单元),进一步增加存储密度,每个存储单元存储三位信息。
TLCNAND的成本甚至低于MLCNAND,使其成为消费电子产品和主流SSD的有吸引力选择。
QLC的全称是Quad-levelcells(四层单元),每个单元可储存4bit数据,跟TLC相比,QLC的储存密度提高了33%。
QLCNAND通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中,QLCNAND的耐久度最低,通常P/ECycle(ProgramEraseCycle)在100到1000之间。
制造商实施先进的错误校正机制、预留配置(OP)和Wearleveling以维持可靠性。
虽然QLCNAND可能不适合写入密集型工作负载,但它为日常使用提供了充足的存储容量,使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。
早有曝料苹果正推进QLCNAND
最早曝料信息称苹果计划在iPhone14系列上采用QLCNAND,IT之家今年1月报道,苹果可能会在iPhone16Pro系列上采用QLCNAND。
集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进QLCNAND换代,从而将内置存储上限提高到2TB。
不过需要注意的是,虽然QLC的密度比TLC高,但速度却比后者慢;而且单个单元中存在更多的单元,它们的耐用性较差,这意味着它们能处理的写入周期比TLC少。
迎接大语言模型
苹果公司还在探索如何使用NAND闪存,而不是内存来存储大型语言模型(LLMs),从而能够在本地运行更多 AI 任务,因此过渡到QLCNAND可能有助于改善AppleIntelligence的表现。