台积电申请静态随机存取存储器及其制造方法专利，涉及制造静态随机存取存储器的方法
2024-06-07 11:05:57 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“静态随机存取存储器及其制造方法“，公开号CN202410178578.X，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，一种静态随机存取存储器（SRAM）包括：第一CFET堆叠和第二CFET堆叠，每个CFET堆叠包括在第一方向上堆叠在第二AR（例如，P型）上的第一有源区（AR）（例如，N型），每个CFET堆叠表示互补FET（CFET）架构；第三CFET堆叠的上半部；第四CFET堆叠的下半部；第一CFET堆叠和第二CFET堆叠包括FET，FET包括SRAM的锁存器；第一CFET堆叠还包括FET，FET包括SRAM的第一端口和第三端口；第二CFET堆叠还包括FET，FET包括SRAM的第二端口和第四端口；第四CFET堆叠的下半部包括FET，FET包括SRAM的第五端口；并且第三CFET堆叠的上半部包括FET，FET包括SRAM的第六端口。本申请的实施例还涉及制造静态随机存取存储器的方法。