乾照光电申请LED芯片及其制作方法专利，可提高LED芯片的抗静电能力
2024-06-07 11:05:58 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，厦门乾照光电股份有限公司申请一项名为“一种LED芯片及其制作方法“，公开号CN202410289295.2，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片包括设置于衬底一侧的外延叠层，外延叠层包括依次堆叠的N型半导体层、有源区及P型半导体层，在N型半导体层背离衬底的一侧表面设置有位错再生层，用于湮灭由衬底向位错再生层延伸的第一穿透位错，并重新生成均匀分布的第二穿透位错；且位错再生层和有源区之间设有静电荷收集层，各第二穿透位错的顶部延伸至静电荷收集层作为V型凹坑的尖端起始点诱发形成均匀分布的V型凹坑以构成漏电通道，然后通过静电荷收集层将N型半导体层一侧的静电荷收集，并利用漏电通道将P型半导体层一侧的静电荷均匀的输送到静电荷收集层进行中和，可提高LED芯片的抗静电能力。