晶合集成申请半导体结构的制备方法专利，避免了现有技术中高深宽比沟槽形成过程中发生的过刻蚀损伤问题
2024-06-07 10:40:59 - 金融界网站
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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”，公开号CN202410586692.6，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域，具体包括：提供衬底，在衬底上形成第一开口和第二开口，第二开口内填充部分第一填充层，在第一开口和所述填充后的第二开口内填充第二填充层，通过这种方式，可以解决深度较浅的第一开口底部过刻蚀的问题，并且进一步利用第二次光刻-刻蚀工艺和灰化工艺，形成深度不同的两种沟槽，从而避免了现有技术中在形成高深宽比沟槽的过程中，由于其刻蚀时长太长而导致的低深宽比接触孔发生过刻蚀的损伤问题。