中微公司申请生长高铝III族氮化物的方法、MOCVD设备及制备紫外LED的应用专利，以提高紫外发光LED的发光性能
2024-06-07 11:10:57 - 金融界网站
转自：金融界
本文源自:金融界
金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“生长高铝III族氮化物的方法、MOCVD设备及制备紫外LED的应用“，公开号CN202211524247.4，申请日期为2022年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种生长高铝III族氮化物的方法和MOCVD设备，以及该方法在制备紫外发光器件方面的应用，所述高铝III族氮化物中的铝元素在III族元素中所占的比例在30％以上，所述方法包括：将衬底转移到MOCVD设备的腔体中；在腔体中提供III族源气体和V族源气体，以在衬底上外延生长高铝III族氮化物，其中，III族源气体在MOCVD设备的气体喷淋头的出气口处的流速UIII是V族源气体在气体喷淋头的出气口处的流速UV的20倍～60倍。本发明能够降低III族源气体和V族源气体在到达衬底表面之前的预反应，还能够提高III族氮化物的生长速度和质量，提高紫外发光LED的发光性能。