天岳先进申请高品质碳化硅衬底专利，显著提高器件的可靠性
2024-06-07 10:40:58 - 金融界网站
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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件“，公开号CN202410586417.4，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本发明提供了一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件，涉及碳化硅晶片技术领域。晶体的制备方法包括晶体稳定生长阶段，晶体稳定生长阶段的生长工艺条件包括以下步骤：S1：靠近晶体生长边缘处存在限定边，限定边与晶体生长边缘处的距离不大于5mm，在限定边与晶体生长边缘范围内设置负的径向温度梯度‑5℃/mm‑‑0.1℃/mm；在限定边至晶体中心设置连续的正的温度梯度≤3℃/cm；S2：使用大于目标生长碳化硅晶体直径的籽晶进行晶体生长，籽晶直径较目标晶体和衬底直径至少大5mm以上，高品质碳化硅衬底由目标晶体处理后得到。本发明碳化硅衬底具有高质量均匀性，显著提高器件的可靠性。