中自科技申请硅碳负极材料专利，有效解决了硅体积膨胀造成的低循环寿命及低安全性问题
2024-06-07 10:50:58 - 金融界网站
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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，中自环保科技股份有限公司申请一项名为“一种硅碳负极材料及其制备方法、应用“，公开号CN202410132368.7，申请日期为2024年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种硅碳负极材料及其制备方法、应用，属于锂离子电池技术领域。所述硅碳负极材料由内部的硅材料内层、包覆于硅材料内层外部的碳材料外层、以及位于硅材料内层和碳材料外层之间的多孔碳中间层组成；碳材料外层的厚度为200~500nm；多孔碳中间层为具有多孔结构的碳结构层，且多孔碳中间层的厚度为50~100nm。所述制备方法用于制备硅碳负极材料；所述应用基于硅碳负极材料实现。本发明能有效的降低离子和电子的传输阻力，且存在接近中空的多孔结构的中间层及外部碳层，中空的中间层能够有效的提供硅膨胀的空间，外部的碳层还能有效的提供硅膨胀的抑制力，很好的解决了硅体积膨胀造成的低循环寿命及低安全性问题。