台积电申请存储器电路及其操作方法专利，使存储器电路的读写操作更加高效
2024-06-07 11:05:58 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“存储器电路及其操作方法“，公开号CN202410178476.8，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，存储器电路包括存储器单元、第一位线、选择电路、第一字线和第一源极线。选择电路包括位于第一层级上的第一晶体管，以及位于第一层级上或不同于第一层级的第二层级上的第二晶体管。第一字线耦合到第一晶体管或第二晶体管。第一源极线耦合到第一晶体管或第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管是互补场效应晶体管的部分。第一晶体管被配置为响应于存储器单元被配置为储存第一逻辑值而执行存储器单元的写入操作。第二晶体管被配置为响应于存储器单元被配置为储存不同于第一逻辑值的第二逻辑值而执行存储器单元的读取操作和存储器的写入操作。本申请的实施例还涉及操作存储器电路的方法。