台积电取得半导体装置专利，其包括重分布层、钝化层以及接点特征
2024-06-07 11:10:56 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“，授权公告号CN221102083U，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体装置，其包括重分布层、钝化层以及接点特征。重分布层包括借由凹槽分隔的第一导电特征以及第二导电特征，它们的角落界定为邻近于凹槽且在凹槽的任一侧上。钝化层设置于重分布层的上方并位于凹槽内。接点特征延伸穿过钝化层并电性耦接至第一导电特征。钝化层包括具有大致上与第一导电特征以及第二导电特征的角落对齐的不连续区域的氮化物层。第一导电特征的顶面以及与凹槽相邻的侧壁界定第一平面以及相交于第一平面的第二平面。借由平面的交点与第一导电特征的角落的表面之间的距离至少部分界定此角落的圆角化。