台积电申请场效应晶体管和形成半导体结构的方法专利，使场效应晶体管具有第二导电类型的掺杂剂的不同平均原子浓度
2024-06-07 11:05:57 - 金融界网站
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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“场效应晶体管和形成半导体结构的方法“，公开号CN202410175854.7，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，场效应晶体管包括：源极侧掺杂阱、漂移区域阱、源极区域、漏极区域；浅沟槽隔离结构，包括位于漂移区域阱上面并且与源极侧掺杂阱横向间隔开的第一部分；栅极介电层；栅电极，位于栅极介电层上面；以及近端掺杂层堆叠件，嵌入在漂移区域阱内并且介于源极侧掺杂阱和浅沟槽隔离结构的第一部分之间。近端掺杂层堆叠件的近端掺杂半导体层具有第二导电类型的掺杂剂的不同平均原子浓度。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。