台积电申请集成芯片及其形成方法专利,针对包括设置在第一导电互连结构和第二导电互连结构之间的铁电结构的集成芯片

2024-06-07 11:05:58 - 金融界网站

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金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“集成芯片及其形成方法“的专利,公开号CN202410178560.X,申请日期为2024年2月。

专利摘要显示,本公开的各个实施例针对包括设置在第一导电互连结构和第二导电互连结构之间的铁电结构的集成芯片。第一导电互连结构位于衬底上面。第二导电互连结构位于第一导电互连结构上面。第二导电互连结构包括直接位于导电通孔段上面的导线段。铁电结构沿导线段的相对侧壁和底面并且沿导电通孔段的相对侧壁和底面连续延伸。本申请的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。

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