扬杰科技申请提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法专利,器件功率密度是传统半桥器件的2倍

2024-06-17 18:05:19 - 金融界网站

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金融界2024年6月14日消息,天眼查知识产权信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法“,公开号CN202410623600.7,申请日期为2024年5月。

专利摘要显示,提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法,涉及半导体技术领域。传统半桥器件需要将两个二极管芯片反向并联封装,封装工艺流程复杂,封装本体大,造成器件功率密度的降低和成本的增加,本案中半桥整流芯片将两个反向并联的二极管集成在一个芯片上,第一阳极到第一阴极区域的二极管垂直导电,第二阳极到第二阴极区域的二极管水平导电,有效利用了芯片的面积,使用本案中半桥整流芯片只需要封装一个芯片,封装工艺步骤和成本降低,使用本案中半桥整流芯片可以减少一半的芯片使用量,器件功率密度是传统半桥器件的2倍。

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