华微电子申请场效应晶体管及其制备方法专利，优化器件的动态性能同时降低漏电流
2024-06-17 20:20:18 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2024年6月13日消息，天眼查知识产权信息显示，吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“一种场效应晶体管及其制备方法“，公开号CN202410367745.5，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件制造领域。通过上述方法制备的场效应晶体管包括衬底、外延层、场氧化层、场多晶、栅极多晶、栅氧化层、介质层、源极金属层及漏极金属层。栅极多晶填充在沟槽内且覆盖场多晶，栅极多晶周围的外延层形成源区，其中，栅极多晶距离沟槽开口的距离小于0.2um，如此设计可以是栅极多晶的形貌良好，不仅可以降低栅极电阻和输入电容，优化器件的动态性能，还可以减小栅极与源极之间的漏电流，确保器件性能及可靠性。