艾为电子取得漏电检测专利，能有效检测待测MOS管的直流漏电
2024-06-17 22:15:18 - 金融界网站
转自：金融界
本文源自:金融界
金融界2024年6月13日消息，天眼查知识产权信息显示，上海艾为电子技术股份有限公司取得一项名为“漏电检测装置和漏电检测系统“，授权公告号CN221124842U，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本实用新型实施例提供一种漏电检测装置和漏电检测系统，所述漏电检测装置，用于检测待测MOS管的直流漏电，包括：第一电压源，连接到所述待测MOS管的体端，用于提供第一方波电压；第二电压源，连接到所述待测MOS管的栅极，用于提供第二方波电压；同步触发器，连接到所述第一电压源和所述第二电压源，用于同步所述第一方波电压与所述第二方波电压，得到待测MOS管的导通时段的第一电压差以及待测MOS管的关断时段的第二电压差；直流电流计，用于检测待测MOS管的体端与源极或者所述体端与漏极之间的直流漏电在所述关断时段中的瞬态电流，所述第一电压差大于所述待测MOS管的导通电压阈值，所述第二电压差小于所述导通电压阈值。