imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 光刻机实现逻辑、DRAM 结构图案化
2024-08-08 09:42:42 - IT之家
IT之家8月8日消息，比利时微电子研究中心imec当地时间昨日宣布，在其与ASML合作的HighNAEUV光刻实验室首次成功利用HighNAEUV光刻机曝光了逻辑和DRAM的图案结构。
在逻辑图案方面，imec成功图案化了单次曝光随机逻辑机构，实现了9.5nm密集金属线（IT之家注：对应19nmPitch），将端到端间距尺寸降低至20nm以下：
不仅如此，imec实现了中心间距30nm的随机通孔，展现了出色的图案保真度和临界尺寸一致性：
此外，imec通过HighNAEUV光刻机构建了P22nm间距的二维特征，显示了新一代光刻技术在二维布线方面的潜力：
而在DRAM领域，imec成功利用单次曝光图案化了集成SNLP（StorageNodeLandingPad）和位线外围的DRAM设计，展现了HighNAEUV减少曝光次数的能力：
imec总裁兼首席执行官LucVandenhove表示：
这些结果证实了HighNAEUV光刻技术长期以来所预测的分辨率能力，一次曝光即可实现20nm以下间距的金属层。
因此HighNAEUV将对逻辑和存储器技术的尺寸扩展起到重要作用，而这正是将路线图推向"埃米时代"的关键支柱之一。
这些早期演示之所以能够实现，要归功于ASML-imec联合实验室的建立，它使我们的合作伙伴能够加快将HighNA光刻技术引入制造领域。
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