中微公司申请晶圆处理技术专利，实时监测可以切换晶圆处理工作模式为刻蚀模式或沉积掩膜模式
2024-06-18 06:35:20 - 金融界网站
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金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种晶圆处理方法及用于晶圆处理的刻蚀-沉积一体设备“，公开号CN202211598096.7，申请日期为2022年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆处理方法及用于晶圆处理的刻蚀‑沉积一体设备。该方法包含：提供一等离子处理装置；提供一待处理晶圆，置于等离子体处理腔室内；开启等离子体射频源，通入刻蚀气体，对刻蚀区域进行刻蚀，形成孔或沟槽；进行监测，根据监测情况切换通入第一掩膜前驱体沉积掩膜或通入刻蚀气体继续刻蚀，直至监测到刻蚀区域形成的孔或沟槽达到目标刻蚀要求；第一掩膜前躯体包含取代的甲基硅烷。本发明通过实时监测可以切换晶圆处理工作模式为刻蚀模式或沉积掩膜模式，对待处理晶圆原位进行刻蚀或原位沉积掩膜，无需从等离子体处理腔室中取出，减少了成本和生产周期。不仅适用于大尺寸硅孔刻蚀，也适用于高或超高深宽比的微结构的刻蚀。