晶合集成申请双栅氧化层及其形成方法专利，能够有效改善电子器件在晶圆验收测试的电性
2024-06-18 07:05:19 - 金融界网站
转自：金融界
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金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“双栅氧化层及其形成方法“，公开号CN202410624514.8，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本申请公开了双栅氧化层及其形成方法，所述形成方法包括：在衬底上形成第一氧化层，衬底包括第一区和第二区，第一区和第二区的衬底表面具有高度差且所形成的第一氧化层厚度相同；将第二区的衬底上的第一氧化层通过湿法刻蚀去除；在第二区的衬底上形成第二氧化层，以使第二区的衬底上的第二氧化层和第一区的衬底上的第一氧化层表面齐平；其中，去除第一氧化层的湿法刻蚀采用包括双氧水的刻蚀液，去除了第一氧化层的第二区的衬底上形成第一化学氧化层，所述形成方法还包括使第一化学氧化层与氢原料气体反应生成挥发物。本申请能够消除现有双栅氧化层工艺技术中引入的化学氧化层，从而有效改善电子器件在晶圆验收测试的电性。