扬杰科技申请一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法专利,通过在沟槽底部形成高浓度的Pshield区,避免了沟槽栅氧的失效

2024-06-18 11:35:21 - 金融界网站

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金融界2024年6月18日消息,天眼查知识产权信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法“,公开号CN202410623579.0,申请日期为2024年5月。

专利摘要显示,一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法,涉及半导体技术领域。沟槽栅碳化硅MOSFET器件由于曲率效应,使得沟槽底部拐角易引起电场集中,并且生长形成的栅氧层由于较高的界面态导致质量较差,因此沟槽栅碳化硅MOSFET器件的沟槽底部拐角的保护设计决定着器件可靠性。本发明通过在沟槽底部形成高浓度的Pshield区,将拐角完全包裹,使得原本集中在沟槽栅氧底部拐角的场强集中在Pshield区,避免了沟槽栅氧的失效。

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