闪存芯片抢跑之年，NAND Flash产业进入新纪元
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中国NANDFlash行业综述
NANDFlash是一种数据型Flash快闪存储芯片，具有容量较大，改写速度快等优点，被广泛用于固态硬盘和便携式设备中，垂直沟道3D结构搭配MLC和TLC颗粒类型，是NANDFlash的主要产品类型。
NANDFlash结构在1989年由东芝公司首次提出，自此正式开始萌芽期的发展；2000年起，NANDFlash向着细微化、高度集成化的高速发展；近年来，NANDFlash仍在持续探索更高层次的三维堆叠技术。
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中国NANDFlash行业现状
NANDFlash凭借其超高性价比逐渐成为主流闪存芯片，预计2025年其市场规模将达到932亿美元；2021年全球NANDFlash存储容量达到了5,750亿GB，预计2023年将达到7,320亿GB。
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NANDFlash芯片单元状态越密集，每个单元内便可储存更多信息，四种芯片尺寸随单元层数的增多而减小，其中SLC读写速度最快、使用寿命最久，QLC单位密度更高、成本*。
全球NANDFlash厂商主要有三星电子、铠侠、SK集团、西部数据、美光科技等，行业集中度较高，竞争格局较为稳定；2022年二季度，全球NANDFlash原厂CR5市场份额约为95%，长江存储约占4%。
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为加速行业恢复供需平衡，三星、美光、SK海力士等头部存储厂商相继缩减资本支出并降低产能利用率；西部数据和铠侠加速合并，目前存储芯片厂商主动去库存效果显著，库存拐点逐渐显现。
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中国NANDFlash驱动因素与发展趋势
2022年NANDFlash存储芯片主要以应用于智能手机市场的嵌入式存储产品、应用于计算机的消费级SSD，以及应用于服务器市场的企业级SSD产品为主，企业级SSD市场需求逐步扩张。
2021年，中国智能汽车渗透率增至63.8%，智能汽车数量增至1,512万台；随着更高阶辅助驾驶技术的发展，汽车传感器对数据收集与分析的需求推动NANDFlash等存储参数需求不断升级。
2018年至今，NANDFlash合约平均价持续震荡，下游需求萎缩压力导致部分存储厂商纷纷开始以价换量清库存，预计23年Q3SSD、eMMC、UFS等模组产品有望止跌回升。
目前2DNAND正非常接近其缩放极限，难以再实现进一步扩展；3DNAND技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升。
2022年底，美光推出232层NANDFlash产品；三星下一代3DNAND产品或将实现236层的堆叠；长江存储128层NANDFlash良率良率快速爬坡至较高水平，3DNAND进入200层时代。
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