QLC闪存擦写寿命4000次,分析长江存储在CFMS 2024上透露的信息

闪存写入前必须先擦除，多次擦除后闪存单元会出现磨损，这是SSD写入寿命存在限制的根源。闪存PE次数指的是Program/Erase循环次数，也就是写入/擦除的次数。闪存的读取和写入以page为单位，而擦除则是以block为单位，为此SSD使用FTL闪存映射表和垃圾回收、磨损均衡算法等一系列复杂机制来管理闪存。在这一过程中，闪存...

突破!长江存储的X3-6070闪存芯片每个单元可进行4,000次擦写循环

通常情况下，闪存单元存储的电荷越多，其在编程/擦除循环方面的耐久性就越低。然而，长江存储通过材料创新、控制器进步以及纠错算法的改进，显著提高了闪存单元的编程/擦除循环次数。X3-6070正是在这些方面取得了突破，其耐久性与3DTLC芯片相当。X3-6070是长江存储的第四代产品，拥有128个活动层和Xtacking3.0架构...

长江存储X3-6070 QLC闪存已实现4000次P/E擦写寿命

长江存储在中国闪存市场峰会(CFMS2024)上表示,其采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E擦写寿命。该技术将CMOS电路与闪存阵列分离,提高了QLC的可靠性,并实现了更灵活的电压调制和读取窗口裕度提升。这种新技术的应用将使NAND闪存行业进入上升期,预计2023至2027年的闪存需...

固态硬盘一般能用多久

闪存芯片具有擦写次数限制,这是影响SSD寿命的关键因素。闪存完全擦写一次被称为1次P/E(Program/Erase)。不同规格的闪存芯片,其P/E寿命有所不同。例如,34nm的闪存芯片寿命约为5000次P/E,而25nm的寿命则约为3000次P/E。随着SSD固件算法的提升,新款SSD能够减少不必要的写入量,从而延长使用寿命。除了闪存芯片的规...

长江存储突破QLC闪存寿命:做到4000次P/E

SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存一路发展下来,存储密度越来越高,而寿命和可靠性不断下滑,比如作为最关键的衡量指标,P/E(编程/擦写循环)次数就越来越少。资料显示,SLC闪存的P/E可以达到5000-10000次之多,MLC一般在1000-10000次范围,TLC目前最高就只能做到5000次,QLC的话一般不超过1000次。

长江存储致态TiPlus7100 4TB满盘读写测试:性能几乎没有下降

我们知道闪存颗粒有P/E擦写次数限制,因此目前的SSD都有带有均衡擦写技术,拷贝到SSD的数据不会像机械硬盘那样连续放在一起(www.e993.com)2024年11月23日。当一块区块当前写入数据之后,马上删除掉,下次再写入时,主控会将数据存放在其他区域,以保持每个区块的写入次数处于一个均衡的水准,不会让一个区块反复被擦写提前报废掉。

关于STM32闪存擦写次数与数据保存期限的重要说明

闪存存储器的数据保存期限随擦写次数的增加而变化,手册中数据保存期限是指1000次和10,000次闪存擦写后的保存期限。在所有的工作温度范围内经1000次擦写后,在+85摄氏度的保存环境下,STM32的数据保存期限可达业界领先的30年;在所有的工作温度范围内经10,000次擦写后,在+55摄氏度的保存环境下(通常这是汽车工业要求的保...

IBM解决QLC闪存寿命问题 实现1.6万次擦写循环

得益于容量大、价格低的优势,如今越来越多的SSD硬盘转向QLC闪存,大家担心的主要是QLC闪存的寿命,具体来说就是P/E擦写次数,通常在1000次左右,而IBM现在解决了QLC寿命问题,做到了史无前例的16000次擦写寿命,寿命比SLC还强。据报道,在最近的一次会议上,IBM闪存产品线CTO、院士AndyWalls介绍了他们在闪存可靠性上的...

只有35次完全擦写的PLC闪存SSD:入坑需谨慎

显然不是的,在你享受一方便利的同时,势必要降低部分的体验,而这种体验在NAND闪存颗粒上面同样成立。之前说过,PLC闪存颗粒能够在单位cell上存储五位的电荷,从而提升闪存密度,预计存储密度能够达到现有的1.9倍。但是由于电荷数目的增多,管理起来却愈发地困难,从而降低闪存的稳定性以及可擦写次数,同时写入速度也将降低。

英国研究者介绍 UltraRAM 技术新突破:可整合内存与闪存,耐久性极高

科学家表示,UltraRAM的制造成本比较低,其拥有很高的性价比。目前已经制造出的测试用原型,可以保证数据能够保存1000年,擦写次数可以超过1000万,几乎不需要考虑耐久性。如果这种存储芯片能够实现比肩传统RAM的速度的话,将会对行业产生重大影响。制造过程图解:...