首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

光刻机上游涉及的内部零件种类众多,且越高端的光刻机组成越复杂,如EUV光刻机内部零件多达80000件以上,其核心组件包括光源系统、双工作台、物镜系统、对准系统、曝光系统、浸没系统、光栅系统等,其中光源、晶圆曝光台、物镜和对准系统的技术门槛较为显著。因此,光刻机企业往往具备高外采率、与供应商共同研发的特点,...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

工艺步骤:在光刻过程中,刻蚀工艺用于将光刻胶上的图形转移到基材上。这是通过选择性去除光刻胶未覆盖的区域来实现的。应用实例:在制造MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)时,刻蚀用于形成源极和漏极的区域,以及栅极的结构。2.多层结构的形成:工艺步骤:刻蚀工艺用于在多层结构中逐层去除材料,以形成互连和通...

光刻技术,有了新选择

投影式光刻技术20世纪70年代中后期出现投影光刻技术，可以有效提高分辨率。投影式光刻示意图基于远场傅里叶光学成像原理，在掩膜版和光刻胶之间采用了具有缩小倍率的投影成像物镜。早期掩膜版与衬底图形尺寸比为1:1，随着集成电路尺寸的不断缩小，出现了缩小倍率的步进重复光刻技术。步进重复光刻技术步进重复光刻...

光刻技术,有了新选择_腾讯新闻

投影式曝光通过控制电子束照射掩模图形,将掩模图形投影至光刻胶表面,把掩模板上的图案转移到光刻胶上,原理类似于照相机,拍摄对象好比掩模板,光刻胶就像是胶卷,通过光线的照射把拍摄对象投影到胶卷上。直写式光刻不需要掩模版,通过磁场直接控制电子束斑按照预设的轨迹在光刻胶表面照射,完成图案转移,就像是画画,铅笔...

光刻技术,有了新选择_腾讯新闻

投影式曝光通过控制电子束照射掩模图形,将掩模图形投影至光刻胶表面,把掩模板上的图案转移到光刻胶上,原理类似于照相机,拍摄对象好比掩模板,光刻胶就像是胶卷,通过光线的照射把拍摄对象投影到胶卷上。直写式光刻不需要掩模版,通过磁场直接控制电子束斑按照预设的轨迹在光刻胶表面照射,完成图案转移,就像是画画,铅笔...

光刻技术,有了新选择_投资界

投影式光刻技术20世纪70年代中后期出现投影光刻技术,可以有效提高分辨率(www.e993.com)2024年11月23日。投影式光刻示意图基于远场傅里叶光学成像原理,在掩膜版和光刻胶之间采用了具有缩小倍率的投影成像物镜。早期掩膜版与衬底图形尺寸比为1:1,随着集成电路尺寸的不断缩小,出现了缩小倍率的步进重复光刻技术。

新型光刻技术,迎来高光时刻。

基于远场傅里叶光学成像原理,在掩膜版和光刻胶之间采用了具有缩小倍率的投影成像物镜。早期掩膜版与衬底图形尺寸比为1:1,随着集成电路尺寸的不断缩小,出现了缩小倍率的步进重复光刻技术。步进重复光刻技术步进重复光刻示意图步进重复光刻主要应用于0.25微米以上工艺,光刻时掩膜版固定不动,晶圆步进运动,完成全部曝光...

光刻技术的过去、现在与未来

2.光刻技术的关键原理与工作流程2.1光刻机的基本组成与功能光刻机是光刻技术中至关重要的设备,其主要组成包括光源、掩模、镜头系统、投影台和控制系统。光源通常是紫外线灯或激光器,用于产生高能光束。掩模(或称掩膜)是带有所需图案的透明介质,通过光源投射到目标表面。镜头系统负责将图案投射到光刻胶涂覆的...

一文讲透光刻胶(芯片制造过程中的关键材料)

光聚合反应示意图光分解型光刻胶,采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性光刻胶;光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,可以制成负性光刻胶。

每天都在看的手机屏,是怎么做出来的?

显色原理因为CF彩色滤光片上印刷有RGB三种颜色的色块,那等到屏幕背光源的光线穿过时,来~我们对照上图看个顺序:光线先是穿过透明的TFT薄膜晶体管基板,再透过液晶分子,然后再透过CF彩色滤光片,受各个色块下液晶分子的穿透率不同的影响,色块就会发出下图这样亮暗不同的红绿蓝三色,从而混合成显示所需要...