【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研,共探集成电路的创新之路
FeRAM,即基于电容型的铁电存储器,因其与现有DRAM结构的相似性而最接近产业化应用。它旨在提供非易失性存储解决方案,以结合DRAM的快速访问和低功耗特性,特别适合需要频繁刷新的场景。FeFET,即基于晶体管型的铁电存储器,是我们团队的研究重点。这种存储器以其高集成密度、快速操作和低功耗而受到关注。FeFET的优势在于...
国芯思辰|国产铁电存储器SF25C20( MB85RS2MT)用于输液泵和呼吸机
目前,传统的EEPROM和闪存写入周期耐久度有限,而一些医疗设备需要可靠地存储随时更新的数据日志,例如医疗输液泵和呼吸机。国产铁电存储器SF25C20的存储单元可用于100万次读写,数据保持:10年@85℃(200年@25℃),这样的耐久度使这些医疗设备记录更多的用户数据。此外,即时非易失性也是SF25C20技术的另一大重要特征,它...
AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...
FeRAM,即基于电容型的铁电存储器,因其与现有DRAM结构的相似性而最接近产业化应用。它旨在提供非易失性存储解决方案,以结合DRAM的快速访问和低功耗特性,特别适合需要频繁刷新的场景。FeFET,即基于晶体管型的铁电存储器,也是唐克超老师团队的研究重点。这种存储器以其高集成密度、快速操作和低功耗而受到关注。FeFET的...
国芯思辰| 国产铁电存储器SF25C20可替换FM25V20A用于医疗监护仪
铁电存储器RFID在医疗医药中的应用可分为自动识别、控制鉴定、放射线耐性、医院管理四个部分。SF25C20在医疗监护仪中的应用优势:一、非易失性:即使在医疗设备没电或关机的情况下,存储在SF25C20的数据也不会丢失。这对于记录关键的用户数据非常重要,确保用户在重新开启时能够继续访问之前的数据。二、高速读写:...
中科院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展
通过16层3D集成Fe-Diode实现了极高的存储密度(0.26F2/bit);此外,通过对Fe-Diode器件的噪声行为的系统研究,发现了与频率无关的高噪声密度的散粒噪声(shotnoise),并利用该噪声作为随机源,生成了自相关性接近零的随机比特数流;进一步通过将存储器和随机源统一在16层3DFe-Diode阵列中实现了该贝叶斯机。
【深度】相变存储器(PCM)应用前景广阔 3D PCM为其代表产品
新型存储器包括相变存储器(PCM)、阻变存储器(RRAM)、磁变存储器(MRAM)、铁电存储器(FRAM)等类型(www.e993.com)2024年9月29日。相变存储器(PCM)指利用硫族化合物或氧化物等特殊材料在不同相态之间的转换来存储数据的非易失性存储器。PCM具有快速读写速度快、功耗低、存储密度高、使用寿命长等优势,在人工智能、电子产品以及无线通信等领域拥有...
新书上架《半导体存储器件与电路》
本书第1部分讨论了主流的半导体存储器技术,第2部分讨论了多种新型的存储器技术,这些技术都有潜力能够改变现有的存储层级,同时也介绍了存储器技术在机器学习或深度学习中的新型应用。《半导体存储器件与电路》可作为高等院校微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的高年级本科生和研究生的...
...柯钦、黄如、杨玉超等 | 利用合金电极调控Hf0.5Zr0.5O2的铁电性
氧化铪基铁电材料具有良好的CMOS兼容性、可微缩性、较高的居里温度和较低的热预算,基于其构建的铁电存储器(FRAM)和铁电场效应晶体管(FeFET)在存储与神经形态计算领域有广阔的应用前景。与此同时,随着铁电半导体材料的研究不断取得进展,将铁电半导体(例如In2Se3)与铁电绝缘体(例如Hf0.5Zr0.5O2(HZO))集成并进一步构...
抗疲劳!中国科学家解决铁电材料疲劳之痛,有望实现存储器无限次数...
这一应用有望打破铁电存储器有限读写次数的限制,大大增加耐久性,从而能够在深海探测、航空航天以及柔性可穿戴电子设备等方面执行存储、传感、能量转换等关键任务。北京时间6月7日凌晨,前述研究成果在线发表在国际学术杂志《科学》(Science)上。极化翻转过程示意图。传统铁电材料的内部,有无数个晶格单元,每个晶格...
HfO2 之铁电奋斗历程 | Ising专栏
第一个分支,是铁电存储器。这一当初“横空出世”的信息存储概念,很是让物理人惊奇了一阵,虽然许多年来半导体人对此并不怎么热心。低密度铁电非易失存储器(non-volatileFEmemories),之所以在当下很多中低端技术产业领域有大规模应用,正是得益于那个时代的进展。图1(A)所示,乃是基于FET器件的铁电存储基本...