EUV光刻机争夺战,风云突变

众所周知,英特尔与ASML合作了数十年时间,推动了光刻技术从193nm浸没式光刻技术发展到EUV,但出于成本考虑,英特尔时任CEO不愿采用昂贵的ASMLEUV光刻机,选择不在其10nm工艺中使用该技术,而是使用DUV光刻机进行四重图案化,结果导致英特尔在良率方面遇到了重重困难。回顾历史能看到,2011年英特尔首发了22nmFinFET工艺...

上海微电子突破极紫外光刻技术,中国半导体崛起国际舞台

上海微电子的最新行动在半导体领域引发了无数热议。该公司选择在德国申请了6项极紫外光刻机(EUV)关键专利，立即成为全球焦点。这无疑透露出一个信号：中国在高端半导体设备上的技术水平和市场地位，正在迅速崛起。这一事件背后，包含了中国企业在国际舞台上力争上游的决心和策略。半导体行业一直被视为高科技领域的皇冠。

中国豪掷250亿,光刻机技术突破重塑全球半导体格局

打破国际技术垄断，重塑全球半导体格局。尽管面临技术复杂性和挑战，中国决心以市场需求和创新精神为支撑，最终实现光刻机技术的自主突破。我们将探讨这一投资的深层意义、挑战与机遇，以及未来可能带来的影响。

光刻机助力中国科技崛起,开启半导体与消费电子新篇章

这一设备就像是一位无声的艺术家,以精准的技术在微小的“画布”上绘制出电路图案,既是芯片制造的关键工具,也成为现代电子产品的核心。没有它,先进的半导体芯片便无从谈起。可以说,光刻机是无数精彩科技成果的助推器,深藏着众多前沿技术的奥秘。回顾光刻机的发展历史,中国在这一领域的经历可谓坎坷不断。众所周...

中国自研光刻机取得突破,核心技术指标被公开

中国在半导体领域砸下5212亿的巨额资金后,国产光刻机终于取得重大突破。与此同时,英伟达在华业务遭受重创,美国却呼吁中方保持克制。正如外界所看到的那样,进入21世纪之后,全球各国在高新技术领域的博弈强度不断升级。从特朗普政府时期开始,美国就针对中国出台了一系列的政策法案,试图打垮中国的半导体产业,从而巩固在该领...

极紫外光刻技术获突破:可大幅提高能源效率,降低半导体制造成本

8月2日,冲绳科学技术大学院大学(OIST)的教授新竹俊(TsumoruShintake)提出了一种极紫外(EUV)光刻技术(www.e993.com)2024年11月23日。基于这种设计的EUV光刻技术可以使用更小的EUV光源工作,从而降低成本,显著提高机器的可靠性和使用寿命。而在消耗电量上不到传统EUV光刻机的十分之一,有助于半导体行业变得更加环境可持续。

港媒:国产光刻机公布重大技术突破,但半导体自给之路仍任重道远

近日,香港知名国际媒体《南华早报》刊载文章称,根据中国工业和信息化部(MIIT)的消息,中国近期推出了两种国产的半导体光刻机械,这些设备在深超紫外(DUV)光刻技术上取得了重大的技术突破,并且拥有自主知识产权。这两种机械尚未有过公开的市场表现,但据可靠消息称,

我国又一半导体关键技术突破 不亚于光刻技术

我国又一半导体关键技术突破不亚于光刻技术近日,我国半导体产业迎来了一项里程碑式的成就。据国家电力投资集团官方宣布,其下属的国电投核力创芯(无锡)科技有限公司,暨国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心,已成功完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品的客户交付。这一壮举标志着我国在半导体制造的关键领域...

创新的极紫外光刻技术极大地造福了半导体制造

冲绳科学技术研究所(OIST)的TsumoruShintake教授提出了一种超越半导体制造标准的极紫外(EUV)光刻技术。本文引用地址:基于此设计的EUV光刻可以使用更小的EUV光源,降低成本并显著提高机器的可靠性和寿命。它的功耗也不到传统EUV光刻机的十分之一,有助于半导体行业变得更加环保可持续。

我国半导体制造核心技术突破,仅次于光刻的重要环节打破国外垄断

国家电投表示,这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环,为半导体离子注入设备和工艺的全面国产化奠定了基础。▲工程师进行晶圆离子注入生产据国家电投介绍,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种...