康达新材:彩晶光电拟投资建设半导体光刻胶核心材料项目,推动光刻...

公司控股子公司彩晶光电已掌握TFT液晶面板正性光刻胶核心原材料光引发剂(PAC)及半导体集成电路光刻胶光引发剂(PAG)的生产技术及工艺。为了进一步推动光刻胶感光剂技术的发展和应用,公司拟投资建设“半导体光刻胶核心材料光引发剂技术研究和产业化项目”,深入开展产品中试和量产工艺技术研究,致力于形成光引发...

中国半导体产业之“痛”:光刻胶始终受制于人

光刻胶的研发,关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂,开发所涉及的技术难题众多,需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、最终使用条件匹配和宽容...

中国又一技术大突破!曾被日本垄断40年,如今我国实现自主设计

随着芯片制程不断向更小尺寸发展对光刻胶的要求也越来越高,现在业界正在积极研发适用于极紫外EUV光刻技术的新型光刻胶,希望能为未来更先进的芯片制造铺平道路。可以说光刻胶就像是芯片制造中的“隐形冠军”,它虽然不像CPU那样为人所熟知,但却在默默支撑着整个半导体产业的发展,没有高质量的光刻胶就没有高性能的...

外媒:EUV光刻机有“替代”方案了

光刻技术是半导体芯片制造中的关键步骤,它决定了芯片上电路的精细度和性能。随着智能手机、人工智能等技术的飞速发展,对芯片性能的要求也在不断提高,这要求光刻技术必须不断进步。目前,全球EUV光刻机市场主要由荷兰的ASML公司主导,其EUV(极紫外)光刻机在高端市场占据绝对优势。然而,随着技术的进步和市场的变化,这一...

极紫外光刻技术获突破:可大幅提高能源效率 降低半导体制造成本

这项新技术通过将两个具有微小中心孔的轴对称镜子对齐成一直线,实现了优越的光学特性。由于EUV光的高吸收性,每次通过镜子反射时能量会减弱40%。在行业标准中,只有大约1%的EUV光源能量通过使用的10个镜子到达晶圆,这意味着需要非常高的EUV光源输出。相比之下,通过将从EUV源到晶圆的镜子总数限制为四个,超过10%的能量...

ABM Inc.:中国光刻机技术特点与市场分布

有掩膜光刻机是半导体制造的主流光刻机,其技术发展路径从接触式、接近式、投影式、步进式和扫描式光刻机(www.e993.com)2024年11月23日。光刻机的发展是一个光学技术与系统集成工程不断积累的过程,其复杂程度堪称人类科技之巅。光刻机的整机制造是多学科交织的极其复杂的工程,需要集成精密光学、精密运动学、高精度微环境控制、算法、微电子、高...

打破国外垄断,我国半导体核心技术突破!仅次于光刻机的重要环节

我国掌握仅次于光刻机的重大难点功率半导体高能氢离子注入是集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中的一个重要环节，其重要性仅次于光刻。这一环节的好坏直接影响到产品的可靠性，是制造过程中的关键步骤。在以前，我国在这一技术上长期依赖国外，在600V以上高压功率芯片的生产上更是长期依赖...

美媒:中国开发了DUV光刻机,但落后于ASML的先进半导体技术!

这让我想起了当年的高铁故事。记得刚开始的时候，国外也是各种看不起咱们的高铁技术。结果呢？现在全世界的高铁，有一大半都是"中国制造"。我敢打赌，用不了多久，咱们的光刻机也会走向世界。更让人兴奋的是，据说咱们的EUV光刻机也在加紧研发中。EUV可是目前最先进的光刻技术，如果这个也能突破，那可真是要上天...

光刻技术,有了新选择

1、光刻技术的发展路径,接触式光刻技术接触式光刻技术出现于20世纪60年代,是小规模集成电路时期最主要的光刻技术,有着良率低、成本高的特点。接触式光刻示意图接触式光刻技术中掩膜版与晶圆表面的光刻胶直接接触,一次曝光整个衬底,掩膜版图形与晶圆图形的尺寸关系是1:1,分辨率可达亚微米级。接触式可以减小光的...

光刻技术的过去、现在与未来

光刻技术作为一项精密的微纳米加工工艺,通过将设计好的微小图案转移到光敏感的材料表面,为各个领域的微细结构制造提供了技术支持。其核心在于利用光刻机,将精准的图案投射到光敏感材料上,从而实现微小结构的精确制造。在当今科技时代,光刻技术是推动半导体制造、光学器件、生物医学等领域发展的重要技术支撑。在半导体制...