ARM与不同位宽存储器的地址线错位接口 , 外部总线接口深
2-3.5G(0x8000,0000-0xbfff,ffff-0xdfff,ffff):片外存储器。3.5G-3.75G(0xe000,0000-0xefff,ffff):VPB外设。3.75G-4G(0xf000,0000-0xffff,ffff):AHB外设。虽然ARM7的寻址空间为4G,但是LPC2200系列只提供A0~A23总共16M的地址。片选信号CS0-CS3是A24和A25的译码输出,将...
单板硬件设计:存储器( NAND FLASH)
norflash数据线和地址线分开,可以实现ram一样的随机寻址功能,可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。NORFLASH的主要供应商是INTEL,MICRO等厂商。nandflash同样是按块擦除,但是数据线和地址线复用,不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。(nandflash按块来擦除,按页来读,norflash没有页),...
STM32FSMC机制FlaSh存储器扩展
②存储芯片的地址和数据引脚是否复用(MUXEN),FSMC可以直接与AD0~AD15复用的存储器相连,不需要增加外部器件;③存储芯片的数据线宽度(MWID),FSMC支持8位/16位两种外部数据总线宽度;④对于NORFlash(PSRAM),是否采用同步突发访问方式(BURSTEN);⑤对于NORFlash(PSRAM),NWAIT信号的特性说明(WAITEN、WAITCFG、...
单片机片外数据存储器扩展设计技巧简介
经典的扩展方法主要是通过地址总线、数据总线即P0、P2口,以及控制线ALE等来进行数据或程序存储器的扩展,最大寻址空间可达64KB,但这种方法占用端口较多,在有些情况下不能满足需求。这里以MCS-8051系列单片机为例,介绍一种新的片外数据存储器扩展方法,仅用单片机的P0口、P1.6及P1.7共10个端口便可实现256KB数据存储...
8031单片机程序存储器EPROM的扩展实例
其中,A0~A11为地址线;O0~O7为数据线;为片选线;OE/VPP为输出允许/编程高压。除了12条地址线和8条数据线之外,CE为片选线,低电平有效。也就是说,只有当CE为低电平时,2732才被选中,否则,2732不工作。OE/VPP为双功能管脚,当2732用作程序存储器时,其功能是允许读数据出来;当对EPROM编程(也称为固化程序)...
深入理解计算机系统 ——CAEer 视角
如图所示,在地址#1~#4所指向的内存中,存储16进制数据01234567H,其中“01”表示数据的高有效位(8bit),“67”表示数据的低有效位,则将高有效位放在前面为大端模式;将高有效位放在后面为小端模式(www.e993.com)2024年9月29日。1.5字符串字符串是由一个个字符组成的,而在计算机中,每一个字符与“0/1”建立联系是通过ASCII编码(8...
剪不断理还乱!DDR1-3和GDDR1-5全解析
一个Bank的位宽就是内存颗粒的位宽,内存控制器一次只允许对一个Bank进行操作,由于逻辑Bank的地址线是公用的,所以在读写时需要加一个逻辑Bank的编号,这个动作被称为片选。●内存条的物理Bank内存控制器的位宽必须与内存条的位宽相等,这样才能在一个时钟周期内传输所有数据,这个位宽就被成为一个物理Bank(通常是64...
对于做单片机研发,不管什么样子的项目都缺少不了硬件开发
具有4KBytes储存容量之存储器,其至少需具有12根地址线。若地址总线有12条,则单片机可寻址的范围为00H-FFFH。问答1.简述MCS-51单片机的P0、P1、P2和P3口的功能和特点。都可作为准双向口;P0复用为地址/数据线,需要接上拉电阻;P1输入需要先写1;P2可作为地址线;P3可作为第二功能口;...
沧海桑田话存贮 内存/显存发展编年史-泡泡网
●DDR2(DDR2SDRAM):第二代双倍速率同步动态随机存储器DDR2在DDR1的基础上,数据预取位数从2bit扩充至4bit,此时上下行同时传输数据(双倍)已经满足不了4bit预取的要求,因此I/O控制器频率必须加倍。至此,在存储单元频率保持133-200MHz不变的情况下,DDR2的实际频率达到了266-400MHz,而(等效)数据传输率达到了...
考研专业课:微机原理部分试题解答
答:可屏蔽中断请求输入线为INTR;"可屏蔽"是指该中断请求可经软件清除标志寄存器中IF位而被禁止。16.8086的中断向量表如何组成?作用是什么?答:把内存0段中0~3FFH区域作为中断向量表的专用存储区。该区域存放256种中断的处理程序的入口地址,每个入口地址占用4个存储单元,分别存放入口的段地址与偏移地址。